IRLR7843
R
IRLR7843
N-Ch 30V Fast Switching MOSFETs
Super Low Gate Charge
100% EAS Guaranteed
Green Device Available
Excellent CdV/dt effect decline
Advanced high cell density Trench
technology
Product Summary
Description
BVDSS
RDSON
ID
30V
4mΩ
96A
TO252 Pin Configuration
The IRLR7843 is the high cell density
trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent
RDSON and gate charge for m...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: IRLR7843 (INFIN)
- Корпус: TO252
- Норма упаковки: 2500 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO252 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | IRLR7843TR (YOUTAI) IRLR7843TR (INFIN) | — | в ленте 15 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | NCE30H15K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
P- | CJU100N03S (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
P- | IRLR7843TRPBF (JSMICRO) IRLR7843TRPBF (INFIN) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | JMTK3003A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
P- | CS130N03A4 (CRMICRO) | TO252 | — | — | — | ||||||||||||
A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG130G04A (YJ) | — | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | |||||||||||||
A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMK180N03TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO96N03T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMK180N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | YJP180G04C (YJ) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | WMB108N03T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.