YJG100N04A

RoHS YJG100N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 100 A <3.5 mohm <4.8 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converter...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 26

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
P- WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- NCEP40T11G (NCE)
 
 
±
P- WMB100N04TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
P- BSC022N04LS (EVVO)
 
3000 шт
 
P- NCEP4090AGU (NCE)
 
 
±
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
A+ TQM019NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
A+ TQM019NH04CR-V RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM025NH04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM025NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM025NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ TQM033NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ JMTC035N04A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ TQM019NH04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
 
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ CJP140N04 (JSCJ)
 
TO-220-3 1000 шт
 
A+ YJG130G04A (YJ)
 
 
Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ TSM019NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJG100N04AF1 

Microsoft Word - YJG100N04A

Дата модификации: 29.10.2020

Размер: 1.05 Мб

6 стр.

    1515

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.