WMB017N03LG2

WMB017N03LG2 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB017N03LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJP180G04C (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ JMGG020V04A (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 2500 шт
 
A+ CJP180N03 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC150N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC150N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC140SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC130SN04 (JSCJ)
 
 
A+ CJAC110N03A (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMB31430DN (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ YJG150N03A (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ WMB018N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.