YJP180G04C

SUNCO
RoHS YJP180G04C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 180A ＜2.0mΩ ＜2.5mΩ General Description ●Split gate trench MOSFET technology ●Excellent stability and uniformity ●Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ●Halogen Free Applications ● Power switch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMTC025N04D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
 — — — —
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— 15 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP40T17AG (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP40T17A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ JMTE025N04D (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
 — — — —
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ HGP018N04A (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJP180G04C COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 180A ＜2.0mΩ ＜2.5mΩ General Description ●Split gate trench MOSFET technology ●Excellent stability and uniformity ●Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ●Halogen Free Applications ● Power switching application ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 30 TA=25℃ 19 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 180 TC =100℃ 113 Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM 720 A EAS 864 mJ 6.2 TA=25℃ 2.5 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 312 TC =100℃ 125 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 15 20 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 0.3 0.4 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJP180G04C B1 YJP180G04C 50 / 5000 Tube 1/8 S-E249 Rev.1.1,08-May-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJP180G04C 

Дата модификации: 09.05.2023

Размер: 721.7 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)