NCEP0120Q

NCEP0120Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0120Q uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =100V,ID =20A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=36mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent g...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ JMSL1040AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
A+ JMSL1018AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±
A+ WML125N12LG2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG40G10AQ (YJ)
 
PDFN5060-8L
 
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ YJD25N10A (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ NCE0130KA (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP0120Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0120Q uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =100V,ID =20A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=36mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Very low on-resistance RDS(on) high-frequency switching and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature Application ● Pb-free lead plating ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification DFN 3.3X3.3 Top View Bottom View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP0120Q NCEP0120Q DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 20 A ID (100℃) 14 A Pulsed Drain Current IDM 80 A Maximum Power Dissipation PD 33 W 0.264 W/℃ EAS 80 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 3.8 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP0120Q 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 15.07.2021

Размер: 522.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.