WM02DN70A

Document: W0803461, Rev: A WM02DN70A Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description WM02DN70A uses advanced trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance. This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration. V(BR)DSS(V) 11 @VGS=10V 20 7 12 @VGS=4.5V 15 @VGS=2.5V Features Appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSSOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
A+ YJS10N02A (YJ)
 
SO-8 SOIC8
 
A+ AO4404 (YOUTAI)
 
SOP-8
 
A+ CJK8804 (JSCJ)
 
SOT233L
 
±
A+ WM02N75M2 (WAYON)
 
SOT233L 1 шт
 
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN080C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
A+ YJL2312AL (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
A+ CJMN2012 (JSCJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.