CJAC20N06D
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
PDFNWB5×6-8L-A Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAC20N06D
Dual N-Channel Power MOSFET
RDS(on) TYP
V(BR)DSS
17Pȍ#9
9
22Pȍ#9
PDFNWB5×6-8L-A
ID
$
DESCRIPTION
7KH&-$&1'SURYLGHVH[FHOOHQW5'6 21 ZLWKORZJDWH
FKDUJH,WFDQEHXVHGLQDZLGHYDULHW\RIDSSOLFDWLRQV
FEATURES
+LJKGHQVLW\FHOOGHVLJQIRUXOWUDORZ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 8
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | YJGD20G10A (YJ) | — | 982 шт | — | — | ||||||||||||
P= | NCEP40ND80G (NCE) | — | — | ± | — | — | — | ||||||||||
P= | WMB090DN04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P- | WMS08DN06TS (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCE60ND03S (NCE) | DFN-8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJSD04N06C (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | JMTP330N06D (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
P- | IRF7103TR (YOUTAI) IRF7103TR (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.