YJGD20G10A

SUNCOYJ
RoHS COMPLIANT YJGD20G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary NMOS(Die1) ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm NMOS(Die2) ●VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● High density cell design for low R DS(ON) ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC20N06D (JSCJ)
 
— ± — — — — —
P= NCEP40ND80G (NCE)
 
—
 
 — ± — — —
P= WMB090DN04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS COMPLIANT YJGD20G10A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary NMOS(Die1) ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm NMOS(Die2) ●VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 20A ＜22 mohm ＜27 mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● High density cell design for low R DS(ON) ● High Speed switching ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol N-Die1 N-Die2 Drain-source Voltage VDS 100 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 ±20 V 20 20 12.5 12.5 TC=25℃ Drain Current Unit ID A TC=70℃ Pulsed Drain Current A IDM 80 80 A Avalanche energy EAS 64 64 mJ PD 17 17 W TJ ,TSTG -55~+150 -55~+150 ℃ Symbol Typ Max Units 30 40 60 75 6.2 7.5 B Total Power Dissipation TC=25℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJGD20G10A F1 YJGD20G10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-E420 Rev.3.3,22-Dec-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJGD20G10A 

Дата модификации: 12.01.2022

Размер: 821.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)