YJGD20G10A
RoHS
COMPLIANT
YJGD20G10A
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
NMOS(Die1)
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
100V
20A
<22 mohm
<27 mohm
NMOS(Die2)
●VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
100V
20A
<22 mohm
<27 mohm
General Description
● Split gate trench MOSFET technology
● High density cell design for low R DS(ON)
●...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
- Норма упаковки: 982 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CJAC20N06D (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | NCEP40ND80G (NCE) | — | — | ± | — | — | — | ||||||||||
P= | WMB090DN04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.