NCEP40ND80G

NCE
NCEP40ND80G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The NCEP40ND80G uses Super Trench technology that is ● VDS =40V,ID =80A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=4.3mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=5.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimiz...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJAC20N06D (JSCJ)
 
— ± — — — — —
P= YJGD20G10A (YJ)
 
— 982 шт
 
 — —
P= WMB090DN04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP40ND80G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The NCEP40ND80G uses Super Trench technology that is ● VDS =40V,ID =80A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=4.3mΩ (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=5.5mΩ (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Very low on-resistance RDS(on) high-frequency switching and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification DFN 5X6 Pin Assignment Top View Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P40ND80G NCEP40ND80G DFN5x6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 80 A ID (100℃) 56.6 A Pulsed Drain Current IDM 320 A Maximum Power Dissipation PD 70 W 0.56 W/℃ EAS 500 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.8 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP40ND80G 

Microsoft Word - NCEP40ND80G data sheet.doc

Дата модификации: 29.07.2021

Размер: 302.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)