JMTP330N06D
JMTP330N06D
Description
JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Application
60V, 5A
RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V
Load Switch
PWM Application
Power Management
Advanced Trench Technology
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
SOP-8(Dual)
100% UIS TESTED!
Marking and pin Assignment
Schematic Diagram
Package Marking a...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 4000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 12
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | IRF7341TRPBF (VBSEMI) IRF7341TRPBF (INFIN) | — | 1 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | STS4DNF60L (VBSEMI) | SO-8 SOIC8 | в ленте 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | CJQ4828 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | 110 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | NCE60ND03S (NCE) | DFN-8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | YJS05N06A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
| — | — | |||||||||||
P- | WMS08DN06TS (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | NCE6005AS (NCE) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | IRF7103TR (YOUTAI) IRF7103TR (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | YJSD04N06C (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CJAC20N06D (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | IRF7341TR (YOUTAI) IRF7341TR (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMTP170N06D (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMTP330N06D
Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:
Дата модификации: 27.09.2022
Размер: 378.4 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.