Вход / Регистрация

JMTP330N06D

JIEJIE
JMTP330N06D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 5A RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free SOP-8(Dual) 100% UIS TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= STS4DNF60L (VBSEMI)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRF7341TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7341TRPBF (INFIN) 		— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
P- CJAC20N06D (JSCJ)
 
— ± — — — — —
P- CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
 ± — — — — —
P- YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — —
P- WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCE60ND08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- NCE60ND03S (NCE)
 
DFN-8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- YJSD04N06C (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CS5N06AE-1 (CRMICRO)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7103TR (YOUTAI)
 

IRF7103TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ JMTP170N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP330N06D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  60V, 5A RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 47mΩ @ VGS = 4.5V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free SOP-8(Dual) 100% UIS TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel (pcs) Per Carton (pcs) 330N06D JMTP330N06D TAPING SOP-8 13” 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 60 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ 5 A TA = 100℃ 3.3 A 20 A 20 mJ 1.74 W 72 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS PD RθJA TJ, TSTG note1 Single Pulsed Avalanche Energy note2 Power Dissipation TA = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Ambient Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd. Version :1.3 -1- PDF
Документация на JMTP330N06D 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 27.09.2022

Размер: 378.4 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)