WMB40N04TS
WMB40N04TS
40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB40N04TS uses advanced power trench technology that has been
especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain
D
D
D
D
D
superior switching performance.
ss
Features
VDS = 40V, ID = 40A
RDS(on) < 12mΩ @ VGS = 10V
s
D
DD
G
G
PDFN5060-8L
RDS(on) < 19.5mΩ @ VGS = 4.5V
Green Devic...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 26
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P- | CJAC20N06D (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
P- | JMTG070N06A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
P- | YJG60G06A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | CJAC40N04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ090N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMQ55N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | TQM056NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM043NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | TQM043NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG60N04A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | TQM056NH04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WMK80N04T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMQ050N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG60G04HHQ (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 30 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 5000 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | YJD40N04A (YJ) | TO252 |
| Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 40V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | ||||||||||||
A+ | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB56N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB090N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ50N04T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WMO75N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO60N04T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMO40N04TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | TQM070NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB40N04TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:
Дата модификации: 10.03.2022
Размер: 645.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.