Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SUNCOYJ в корпусе TOLL для компактных устройств высокой мощности

вчера

Китайская компания SUNCOYJ начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораздо меньше чем у TO-220 и TO-247, которые традиционно используются в устройствах высокой мощности. Расстояние между выводами стока и истока больше чем у TO-247 (3,15 мм против 2,8 мм, соответственно).

Кроме того, корпус TOLL является более компактным, чем ТО-263 и занимает на 30% меньшую площадь на плате. При этом он на 50% ниже, что позволяет использовать меньшее количество параллельно соединенных транзисторов, увеличивая плотность мощности на единицу объема преобразователя.

Надежность транзисторов в корпусе TOLL также обеспечивается за счет продуманной системы отвода тепла, благодаря чему MOSFET-транзисторы могут работать при температуре 175°C.

Конструкция корпуса TOLL (рисунок 1) позволяет в полной мере использовать преимущества карбида кремния и строить энергоэффективные и компактные устройства высокой мощности.

Рис. 1. Внешний вид и расположение контактов корпуса TOLL

Таблица 1. Основные параметры новых карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов SUNCOYJ в корпусе TOLL*

* Максимальная рабочая температура – 175°С.