Транзисторы SJ MOSFET от SUNCO – решение для напряжений до 600 В

20 августа

Кремниевые транзисторы MOSFET продолжают оставаться основой силовой электроники. Причины – хорошо отработанная технология, низкая цена, простота схем управления. Для того, чтобы повысить максимально допустимое напряжение между стоком и истоком, применяется технология Super-Junction (SJ) MOSFET.

Суть технологии SJ MOSFET заключается в создании многослойной полупроводниковой структуры с вертикальными столбиками, для которых характерно глубокое p-легирование (речь идет о транзисторах с каналом n-типа). Тем самым обеспечивается балансировка заряда, что повышает напряжение пробоя.

Китайская компания SUNCO выпустила  n-канальный SJ MOSFET-транзистор в двух вариантах корпусирования. YJN48C60HJ имеет корпус TO-247 (рисунок 1). Данный тип корпуса очень прост в монтаже и обладает хорошей ремонтопригодностью. YJT33C60HJ выполнен в более современном корпусе TOLL, отличающемся компактными размерами (рисунок 2). Этот корпус предназначен для поверхностного монтажа.

Рис. 1. Нумерация выводов SJ MOSFET транзисторов SUNCO в корпусе TO-247

Максимальное напряжение «сток-исток» для рассматриваемых приборов составляет 600 В. При этом значение тока может достигать 33 А. Напряжение отсечки составляет 4 В, что обуславливает низкую стоимость драйвера. Сопротивление канала в открытом состоянии R_dson не превышает 72 мОм. Типиовое значение заряда затвора Q_d составляет 70 нКл, что определяет малое время переключения из одного состояния в другое.

Корпуса транзисторов выполнены из материалов с низкой горючестью: рейтинг по UL-94 составляет V0. В корпусах не используются галогениды.

Транзисторы могут эксплуатироваться при температуре -55…150ºC. 

Рис. 2. Нумерация выводов SJ MOSFET транзисторов SUNCO в корпусе TOLL

Низкие значения R_dson и Q_g позволяют создавать на основе данных транзисторов компактные и энергоэффективные устройства. Новые транзисторы SUNCO оптимальны для применения в мощных  высокочастотных инверторах и источниках питания.