CRSE120N10L2

CR Micro
CRSE120N10L2 SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0mΩ, 11A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 100 • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 11.0mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 14.0mΩ • Qualified according to JEDEC criteria ID 11A Applications • Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger •...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 300 шт
 
 — —
A+ WMS080N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP13N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP0112AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —
A+ NCEP0114AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRSE120N10L2 SkyMOS2 N-MOSFET 100, 11.0mΩ, 11A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 100 • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 11.0mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 14.0mΩ • Qualified according to JEDEC criteria ID 11A Applications • Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger • Battery management 100% Avalanche Tested • UPS (Uninterrupible Power Supplies) CRSE120N10L2 Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing CRSE120N10L2 SE120N10L2 SOP-08 Tape&Reel Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 4000pcs Symbol Value Unit VDS 100 V ID 11 A Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TA = 25°C TA = 75°C 8 Pulsed drain current (TA = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse 44 A Avalanche energy, single pulse (L=0.1mH, Rg=25Ω) EAS 45 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TA = 25°C ) Ptot 2.8 W Tj , T stg -55...+150 °C Operating junction and storage temperature ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRSE120N10L2 

CRSE120N10L2 (100V mR_11A) DS_v3.0x Keywords:

Дата модификации: 19.12.2019

Размер: 457.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)