Вход / Регистрация

WMO09N20TS

WAYON
WMO09N20TS 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO09N20TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features  G TO-252 VDS= 200V, ID = 9A RDS(on) < 300mΩ @ VGS = 10V S RDS(on) < 350mΩ @ VGS = 4.5V  High Speed Power Smooth Switching, Logic Level...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Корпус: TO252
  • Норма упаковки: 100  шт. (в ленте)
  • снято с производства

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP02515K (NCE)
 
TO252 в ленте 10 шт
 
 ± — — —
P- IRFR13N20DTR (JSMICRO)
 

IRFR13N20DTR (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ CS18N20A4R (CRMICRO)
 
TO-252-3 — — —
A+ NCEP0218K (NCE)
 
TO252 в ленте 200 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP0210Q (NCE)
 
DFN83X3
 
 ± — — —
A+ WML15N25T2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт — — — — — —
A+ CS18N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ CS18N20A4R-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт — — —
A+ IRF640N (EVVO)
 

IRF640N (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ WMO15N25T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMO09N20TS 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO09N20TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features  G TO-252 VDS= 200V, ID = 9A RDS(on) < 300mΩ @ VGS = 10V S RDS(on) < 350mΩ @ VGS = 4.5V  High Speed Power Smooth Switching, Logic Level  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D RoHS Applications compliant  DC/DC Converter  LED Backlighting  Motor Control G S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C ID TC=100°C 9 5.7 A IDM 36 A EAS 1.35 mJ PD 52 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 35 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 2.4 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2022 Doc:W0803609 1/7 PDF
Документация на WMO09N20TS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 30.06.2022

Размер: 607.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)