Вход / Регистрация

NCEP0210Q

NCE
NCEP0210Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0210Q uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =200V,ID =10A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=145mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low combination o...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ NCEP0218K (NCE)
 
TO252 в ленте 200 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP0210Q http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP0210Q uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =200V,ID =10A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=145mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) high-frequency switching and synchronous rectification. ● Very low on-resistance RDS(on) Application ● 150 °C operating temperature ● DC/DC Converter ● Pb-free lead plating ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification DFN 3.3X3.3 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP0210Q NCEP0210Q DFN3.3X3.3-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 10 A ID (100℃) 7 A Pulsed Drain Current IDM 40 A Maximum Power Dissipation PD 40 W 0.32 W/℃ EAS 80 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 3.1 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Résistance, Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP0210Q 

Microsoft Word - NCEP0210Q?data?sheet.doc

Дата модификации: 13.02.2019

Размер: 360.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)