Вход / Регистрация

CS18N20A8R

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS18N20 A8R General Description ： VDSS 200 V ID 18 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(T C=25℃) 100 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 0.12 Ω CS18N20 A8R, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220AB
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF640NPBF-VB (VBSEMI)
 
— в линейках 1000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
P- NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ NCEP02525K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — —
A+ NCEP02525F (NCE)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP0230D (NCE)
 
TO2632L
 
 ± — — —
A+ NCEP0225K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — —
A+ NCEP0225G (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP0218K (NCE)
 
TO252 в ленте 200 шт
 
 ± — — —
A+ NCE0224AK (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —
A+ NCEP0225F (NCE)
 
TO220F
 
 ± — — —
A+ TSM600NA25CIT C0G (TSC)
 
ITO220 50 шт
 
 — — —
A+ CS18N20A4R-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт — — —
A+ IRF640N (EVVO)
 

IRF640N (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ CS18N20A4R (CRMICRO)
 
TO-252-3 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS18N20 A8R General Description ： VDSS 200 V ID 18 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(T C=25℃) 100 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 0.12 Ω CS18N20 A8R, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220AB, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤0.18Ω) l Low Gate Charge (Typical Data:20.4nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:16.4pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS ID IDM Rating Units Drain-to-Source Voltage 200 V Continuous Drain Current 18 A 11.3 A 72 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 500 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation 100 W Derating Factor above 25°C 0.8 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Continuous Drain Current T C = 100 °C a1 Pulsed Drain Current VGS EAS a2 dv/dt a3 PD TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P ag e 1 of 1 0 2 0 1 6 V0 1 PDF
Документация на CS18N20A8R 

CS18N20 A8R

Дата модификации: 23.08.2016

Размер: 393.4 Кб

10 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)