IRF640N

R IRF640N N-Ch 200V Fast Switching MOSFETs     Product Summary Super Low Gate Charge Green Device Available Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density Trench technology Description BVDSS RDSON ID 200V 170mΩ 18A TO220 Pin Configuration The IRF640N is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO18N20T2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCEP02525K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCEP02525F (NCE)
 
TO220F
 
±
A+ NCEP0225K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCEP0225G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP0218K (NCE)
 
TO252 200 шт
 
±
A+ NCE0224AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ CS18N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ CS18N20A4R-G (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ NCE0224 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.