WML15N25T2
WML15N25T2
250V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WML15N25T2 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
maintain superior switching performance.
Features
⚫
GD S
TO-220F
VDS= 250V, ID = 15A
RDS(on) < 238mΩ @ VGS = 10V
RDS(on) < 270mΩ @ VGS = 4.5V
⚫
High Speed Power Smooth Switching, Logic Level
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220F
- Норма упаковки: 50 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO220F | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMO15N25T2 (WAYON) | TO252 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCEP02525K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP02525F (NCE) | TO220F | ± | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCEP02515K (NCE) | TO252 | в ленте 10 шт | ± | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WML15N25T2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 31.08.2022
Размер: 424.8 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.