WM10N02G

Document: W0803094, Rev: B WM10N02G G N-Channel MOSFET Features ⚫ VDS= 100V, ID = 0.2A RDS(on) < 6Ω @ VGS = 10V RDS(on) < 9Ω @ VGS = 4.5V ⚫ High Speed Switch ⚫ Load Switch Appliances ⚫ Portable Appliances ⚫ Halogen and Antimony Free, “Green” Device SOT-323 Mechanical Characteristics ⚫ SOT-323 Package ⚫ Marking : Making Code ⚫ RoHS Compliant Schematic & PIN Configura...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM10N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BSS123W (YJ)
 

BSS123W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в линейках 3000 шт
A+ BSS123 SOT-23 (JSCJ)
 
 
A+ BSS123 (ANBON)
 

BSS123 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 300 шт
 
A+ LBSS123LT1G (LRC)
 
1 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.