LBSS123LT1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. N-CHANNEL POWER MOSFET LBSS123LT1G LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G FEATURE 3 ƽ Pb-Free Package is available. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device 2 SOT-23 Marking Shipping LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G SA 3000/Tap...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ BSS123W (YJ)
 

BSS123W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в линейках 3000 шт — —
A+ BSS123 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —
A+ BSS123 (ANBON)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 300 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. N-CHANNEL POWER MOSFET LBSS123LT1G LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G FEATURE 3 ƽ Pb-Free Package is available. ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device 2 SOT-23 Marking Shipping LBSS123LT1G S-LBSS123LT1G SA 3000/Tape&Reel LBSS123LT3G S-LBSS123LT3G SA 10000/Tape&Reel 1 Gate MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Drain–Source Voltage VDSS 100 Vdc Gate–Source Voltage – Continuous – Non–repetitive (tp ≤ 50 µs) VGS VGSM ±20 ±40 Vdc Vpk ID IDM 0.17 0.68 Symbol Max Unit PD 225 mW 1.8 mW/°C RqJA 556 °C/W TJ, Tstg –55 to +150 °C Drain Current Continuous (Note 1.) Pulsed (Note 2.) Drain 3 2 Source Adc THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR–5 Board (Note 3.) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain current. 2. Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. 3. FR–5 = 1.0  0.75  0.062 in. Rev .A 1/4 PDF
Документация на LBSS123LT1G 

Дата модификации: 21.08.2012

Размер: 360.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PF140N (LTL)