Вход / Регистрация

BSS123

SUNCO
Полевой транзистор. N-канальный; напряжение сток-исток макс. 100 В; ток стока 200 мА; RDS(ON) 5.5 Ом; мощность рассеивания 350 мВт; заряд затвора 1.8 нКл; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS123 (HOTTECH)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= BSS123 (JSCJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
 — — —
P- WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — — —
P- 2N7002 (JSCJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- WM10N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- NCE0102B (NCE)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- BSS138N (JSMICRO)
 
— 431 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- BSS138 (EVVO)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BSS123 COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MOSFET gate drivers ● Switching application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 200 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 160 Pulsed Drain Current A IDM 800 mA Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS123 F2 B123. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1966 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS123 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.07.2019

Размер: 589.1 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)