Вход / Регистрация

BSS123W RFG

Taiwan Semiconductor
BSS123W Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 100V, 160mA, 5Ω FEATURES ● ● ● ● ● KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) to minimize conductive losses Logic level Low gate charge for fast power switching RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VDS 100 V RDS(on) (max) VGS = 10V 5 VGS = 4.5V 5.5 Qg APPLICATIONS 1.1 Ω nC ● Low Side Load ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ BSS123 SOT-23 (JSCJ)
 
—
 
 — —
A+ BSS123 (ANBON)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 300 шт
 
 — — — — —
A+ LBSS123LT1G (LRC)
 
— 1 шт
 
 ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —

Файлы 1

показать свернуть
BSS123W Taiwan Semiconductor N-Channel Power MOSFET 100V, 160mA, 5Ω FEATURES ● ● ● ● ● KEY PERFORMANCE PARAMETERS Low RDS(ON) to minimize conductive losses Logic level Low gate charge for fast power switching RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VDS 100 V RDS(on) (max) VGS = 10V 5 VGS = 4.5V 5.5 Qg APPLICATIONS 1.1 Ω nC ● Low Side Load Switching ● Level Shift Circuits ● General Switch Circuits SOT-323 Note: MSL 1 (Moisture Sensitivity Level) per J-STD-020 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current (Note 1) TA = 25°C TA = 125°C Pulsed Drain Current Total Power Dissipation ID IDM TA = 25°C TA = 125°C Operating Junction and Storage Temperature Range PD 160 74 0.64 298 60 mA A mW TJ, TSTG - 55 to +150 °C SYMBOL MAXIMUM UNIT RӨJA 420 °C/W THERMAL PERFORMANCE PARAMETER Junction to Ambient Thermal Resistance Thermal Performance Note: RӨJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistances. The casethermal reference is defined at the solder mounting surface of the drain pins. R ӨJC is guaranteed by design while RӨCA is 2 determined by the user’s board design. The RӨJA limit presented here is based on mounting on a 1 in pad of 2 oz copper. 1 Version: A2007 PDF
Документация на BSS123W RFG 

Дата модификации: 07.08.2020

Размер: 393.1 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)