TQM123KCX RFG
Taiwan Semiconductor
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 7
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | BSS123 (YJ) BSS123 (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WM10N02M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LBSS123LT1G (LRC) | — | 1 шт | ± | — | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||||||||
A+ | BSS123 (ANBON) BSS123 (ONS-FAIR) | SOT-23-3 | 300 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | BSS123W RFG (TSC) | SOT-323-3 | 3000 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | BSS123 SOT-23 (JSCJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | WM10N02G (WAYON) | SOT-323-3 | 3000 шт |
| — | — | — | — | — | — |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.