NCE60P25

Pb Free Product NCE60P25 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60P25 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features ● VDS =-60V,ID =-25A RDS(ON) <45mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram ● High density cell design for u...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE55P30 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
P= CJP50P06 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
P= NCE01P13 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
P= YJF80GP06H (YJ)
 
 
P- IRF5305 (YOUTAI)
 

IRF5305 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 800 шт
 
P- YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
P- CJP50P06S (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.