NCE55P30

NCE
Pb Free Product NCE55P30 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P30 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJP50P06 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
P= NCE60P25 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P= YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —
P= NCE01P13 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P= YJF80GP06H (YJ)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE55P30 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE55P30 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-55V,ID =-30A RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Marking and pin assignment 100% UIS TESTED! TO-220-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE55P30 NCE55P30 TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS -55 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID -30 A ID (100℃) -21 A Pulsed Drain Current IDM 110 A Maximum Power Dissipation PD 80 W 0.53 W/℃ EAS 420 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE55P30 

Microsoft Word - NCE5530.doc

Дата модификации: 24.02.2016

Размер: 284.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)