NCE55P30
Pb Free Product
NCE55P30
http://www.ncepower.com
NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE55P30 uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =-55V,ID =-30A
RDS(ON) <40mΩ @ VGS=-10V
Schematic diagram
● High density cell design for ultra low Rdson
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CJP50P06 (JSCJ) | TO2203L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P= | NCE60P25 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
P= | YJP30GP10A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 5000 шт | — | — | ||||||||||||
P= | NCE01P13 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
P= | YJF80GP06H (YJ) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE55P30
Microsoft Word - NCE5530.doc
Дата модификации: 24.02.2016
Размер: 284.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.