NCE01P13

NCE
NCE01P13 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P13 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-10V (Typ:170mΩ) ● Super high dense cell des...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE01P13 http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE01P13 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features ● VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON) <200mΩ @ VGS=-10V (Typ:170mΩ) ● Super high dense cell design ● Advanced trench process technology ● Reliable and rugged ● High density celldesign for ultra low on-resistance Application Marking and pin assignment ● Power switch ● DC/DC converters 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! TO-220-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE01P13 NCE01P13 TO-220-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Limit Unit -100 V ±20 V ID -13 A ID (100℃) -9.2 A Pulsed Drain Current IDM -52 A Maximum Power Dissipation PD 40 W 0.27 W/℃ EAS 110 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Powe Co., Ltd Page 1 v2.0 PDF
Документация на NCE01P13 

Microsoft Word - NCE01P13 data sheet.doc

Дата модификации: 21.04.2020

Размер: 307.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)