CJP50P06
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-220-3L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJP50P06
P-Channel Power MOSFET
TO-220-3L-C
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID
-60V
19mΩ@-10V
-50A
DESCRIPTION
The CJP50P06 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
FEATURES
MARKING
P50P06
XXXX
1
2
...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2203L
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2203L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | NCE60P25 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P= | YJP30GP10A (YJ) | TO-220-3 | в линейках 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| P= | NCE55P30 (NCE) | TO-220-3 |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | |||
| P= | NCE01P13 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P= | YJF80GP06H (YJ) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.