IRF5305

UMW
UMW R IRF5305 -60V P-Channel MOSFET Description The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. D G Features  VDS (V) = -60V        S ID = -31A (VGS = -10V) RDS(ON) &...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJP50P06S (JSCJ)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
 ± — — — — —
P- YJP30GP10A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 5000 шт
 
 — —
P- NCE60P25 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRF5305 -60V P-Channel MOSFET Description The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry. D G Features  VDS (V) = -60V        S ID = -31A (VGS = -10V) RDS(ON) < 60mΩ (VGS = -10V) Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free S D G Absolute Maximum Ratings ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C IDM PD @TC = 25°C VGS EAS IAR EAR dv/dt TJ TSTG Parameter Max. Continuous Drain Current, VGS @ -10V Continuous Drain Current, VGS @ -10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Single Pulse Avalanche Energy Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt  Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 seconds Mounting torque, 6-32 or M3 srew -31 -22 -110 110 0.71 ± 20 280 -16 11 -5.0 -55 to + 175 Units A W W/°C V mJ A mJ V/ns °C 300 (1.6mm from case ) 10 lbf•in (1.1N•m) Thermal Resistance Parameter RθJC RθCS RθJA www.umw-ic.com Typ. Junction-to-Case Case-to-Sink, Flat, Greased Surface Junction-to-Ambient Max. Units 1.4 0.50 °C/W 62 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF5305 

UMW IRF5305PBF

Дата модификации: 03.11.2023

Размер: 726.7 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)