NCE6005AS

Pb Free Product NCE6005AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS=60V,ID=5A RDS(ON) <35mΩ @ VGS=10V (Typ.26mΩ) RDS(ON) <45mΩ @ VGS=4.5V (Typ.32mΩ)...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= IRF7341TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7341TRPBF (INFIN)
1 шт
 
P= CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
±
P= WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P= STS4DNF60L (VBSEMI)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 1000 шт
 
P- JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- AUIRF7341QTR (JSMICRO)
 

AUIRF7341QTR (INFIN)
 
P- IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
P- YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
P- YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
A+ NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ±
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ LN8266DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ S-LNB8266DT0AG (LRC)
 
 
±
A+ LN7513DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ LN7263DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN2621DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±
A+ LN2605T1G (LRC)
 
SOT26
 
±
A+ LN8260DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ NCE6005AN (NCE)
 
SOT236L
 
±
A+ TSM4436CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
 
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN)
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ LNB8260DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE6005AS 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 15.11.2023

Размер: 416.9 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.