STS4DNF60L

VBsemi Electronics Co.
STS4DNF60L www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • TrenchFET® power MOSFET • 100 % Rg and UIS tested 60 RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D1 8 D1 7 D2 6 D2 5 D1 G1 Top View 2 1 G1 S1 D2 G2 4 3 G2 S2 S1 S2 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET AB...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид LM2904
  • Корпус: SO-8 SOIC8
  • Норма упаковки: 1000  шт. (в ленте)

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= IRF7341TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7341TRPBF (INFIN) 		— 1 шт
 
P= IRF7341TR (YOUTAI)
 

IRF7341TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
P= NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
P= JMTP330N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P= CJQ4828 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 110 шт
 
P= WMS08DN06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P= YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт

Файлы 1

показать свернуть
STS4DNF60L www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) • TrenchFET® power MOSFET • 100 % Rg and UIS tested 60 RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D1 8 D1 7 D2 6 D2 5 D1 G1 Top View 2 1 G1 S1 D2 G2 4 3 G2 S2 S1 S2 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL LIMIT Drain-Source Voltage VDS 60 Gate-Source Voltage VGS ± 20 Continuous Drain Current TC = 25 °C TC = 125 °C Continuous Source Current (Diode Conduction) a Pulsed Drain Current b Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy Maximum Power Dissipation b L = 0.1 mH TC = 25 °C TC = 125 °C Operating Junction and Storage Temperature Range ID V 7 4 IS 3.6 IDM 28 IAS 18 EAS 16.2 PD UNIT 4 1.3 A mJ W TJ, Tstg -55 to +175 °C SYMBOL LIMIT UNIT RthJA 110 RthJF 34 THERMAL RESISTANCE RATINGS PARAMETER Junction-to-Ambient Junction-to-Foot (Drain) PCB Mount c °C/W Notes a. Package limited. b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %. c. When mounted on 1" square PCB (FR4 material). E-mail：China@VBsemi TEL:86-755-83251052 1 PDF
Документация на STS4DNF60L 

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM DATASHEET SEARCH, DATABOOK, COMPONENT, FREE DOWNLOAD SITE

Дата модификации: 08.09.2023

Размер: 909.6 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.