IRF7341TRPBF
VBsemi Electronics Co.
IRF7341TRPBF
www.VBsemi.tw
Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
• TrenchFET® power MOSFET
• 100 % Rg and UIS tested
60
RDS(on) (Ω) at VGS = 10 V
0.040
RDS(on) (Ω) at VGS = 4.5 V
0.055
ID (A) per leg
7
Configuration
Dual
SO-8 Dual
D1
8
D1
7
D2
6
D2
5
D1
G1
Top View
2
1 G1
S1
D2
G2
4
3 G2
S2
S1
S2
N-Channel MOSFET
N-Channel MOSFET
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Истор. имя: IRF7341TRPBF (INFIN)
- Корпус: —
- Норма упаковки: 1 шт.
Аналоги 7
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
P= | IRF7341TR (YOUTAI) IRF7341TR (INFIN) | SO-8 SOIC8 | в ленте 3000 шт | ||
P= | NCE6005AS (NCE) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт | ||
P= | JMTP330N06D (JIEJIE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | ||
P= | CJQ4828 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | 110 шт | ||
P= | WMS08DN06TS (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | ||
P= | STS4DNF60L (VBSEMI) | SO-8 SOIC8 | в ленте 1000 шт | ||
P= | YJS05N06A (YJ) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.