WMS09N06TS

WAYON
WMS09N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS09N06TS uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  VDS = 60V, ID = 9A  RDS(on) < 22mΩ @ VGS = 10V S S G SOP-8L RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  1...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WM03DH60A
Внешний вид WM03DH60A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMB52N06T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
P- NCE6045XG (NCE)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJG60G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
 — —
A+ CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ WMS098DN06LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ NCE6009AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — —
A+ UTM6016G-SO8-R (UTC)
 
SOP-8
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
WMS09N06TS 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D D WMS09N06TS uses advanced power trench technology that has D D been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. S Features  VDS = 60V, ID = 9A  RDS(on) < 22mΩ @ VGS = 10V S S G SOP-8L RDS(on) < 25mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  100% EAS Guaranteed  Optimized for High Speed Smooth Switching RoHS D compliant G Applications  Synchronous Rectification  DC/DC Converter S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 9 TA=25°C ID Continuous Drain Current TA=100°C 5.7 IDM 36 A EAS 51.2 mJ PD 3.1 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 40.3 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TA=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Rev.1.0, 2021 Doc:W0803615 1/7 PDF
Документация на WMS09N06TS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 08.03.2022

Размер: 791.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)