NCE30H11BG
NCE30H11BG
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE30H11BG uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can
be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =30V,ID =110A
RDS(ON)=2.3mΩ (typical) @ VGS=10V
RDS(ON)=3.8mΩ (typical) @ VGS=4.5V
Schematic Diagram
● Excellent gate ch...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | CJAC130SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMGG020V04A (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC200SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC150N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC140SN04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJP180N03 (JSCJ) | TO2203L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB31430DN (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJG150N03A (YJ) | — | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | CJP140N04 (JSCJ) | TO-220-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMSH0403BGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE30H11BG
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 27.09.2022
Размер: 632.6 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.