CJAC140SN04

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC140SN04 V(BR)DSS 40V N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP ID 1.65mΩ@10V 140A PDFN:%5×6-8L-C DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ CJAC130SN04L (JSCJ)
 
 
±
A+ NCEP40T20A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP40T17AG (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T17A (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP40T15GU (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T15AGU (NCE)
 
15 шт
 
±
A+ NCEP40T15A (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 40 шт
 
±
A+ NCEP40T14G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP40T13GU (NCE)
 
 
±
A+ JMSL0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH0402AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ YJG200G04AR (YJ)
 
1 шт
 
A+ JMSL0401AG (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH0401AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ CJAC200SN04 (JSCJ)
 
 
±
A+ HGP018N04A (CRMICRO)
 
TO220AB 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD PDFN:%5×6-8L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJAC140SN04 V(BR)DSS 40V N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP ID 1.65mΩ@10V 140A PDFN:%5×6-8L-C DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency fast switching applications. FEATURES  40V,140A, RDS(ON) =2.2mΩ@VGS = 10V  Fast Switching  Improved dv/dt capability  Green Device Available APPLICATIONS  PowerTools  LED applications  Load Switch  Motor Drive Applications EQUIVALENT CIRCUIT MARKING CJAC140SN04 = Part No. CJAC 140SN04 YY 8 D 7 D 6 D 5 D Solid dot=Pin1 indicator XX=Date Code 2 1 S 3 S 4 S G ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Drain-Source Voltage VDS 40 Gate-Source Voltage VGS ±20 ID 140 IDM 400 PD 2.0 W EAS 180 mJ RθJC 1.7 ℃/W RθJA 62 ℃/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TSTG -55~ +150 Continuous Drain Current Pulsed Drain Current (1) Maximum Power Dissipation (4) Avalanche energy* Thermal Resistance from Junction to Case(Tc=25℃) Thermal Resistance from Junction to Ambient (3) Unit V A ℃ * EAS test condition VGS=10V,VDD=25V, RG=25 Ω, L=1.0 mH, starting Tj=25 ℃. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 1.0 PDF
Документация на CJAC140SN04 

Дата модификации: 26.02.2020

Размер: 900.1 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.