NCE0106R
NCE0106R
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE0106R uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS = 100V,ID = 6A
RDS(ON) < 140mΩ @ VGS=10V
(Typ:110mΩ)
● High density cell design for ultra low Rdson
● Fully characterize...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-223
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-223 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 25
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | YJM04N10A (YJ) | SOT-223 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
P= | WMT04N10TS (WAYON) | SOT2233L | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | LN76076HDT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE0110AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CRSE120N10L2 (CRMICRO) | SOP-8 | — | — | — | ||||||||||||
A+ | LN4292T1G (LRC) | SOP-8 | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LN7617HDT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LN76098DT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LN7617DT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMQ10N10TS (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | LNB86085DT0AG (LRC) | DFN33338A | ± | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMS175N10LG2 (WAYON) | SOP8L | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | NCE0110AK (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE0106Z (NCE) | TO-92-3 | 1 шт |
| ± | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCE0108AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTQ11DN10A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTI10N10A (JIEJIE) | TO2513L | 75 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJQ07N10 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | 4000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMT07N10TS (WAYON) | SOT-223 | 2500 шт |
| — | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | WMS119N10LG2 (WAYON) | SOP8L | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0110K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTK10N10A (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJU10N10 (JSCJ) | TO2522L | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | NCEP13N10AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | LNB8610HDT0AG (LRC) | DFN33338A | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE0106R
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 27.05.2022
Размер: 830.2 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.