NCE0103Y

NCE0103Y http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0103Y uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 3A Schematic diagram RDS(ON) <160mΩ @ VGS=10V (Typ:136mΩ) RDS(ON) <170mΩ @ VGS=4.5V (Typ:140mΩ) ● High de...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT233L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ IRFL4310TRPBF (JSMICRO)
 

IRFL4310TRPBF (INFIN)
SOT-223 в ленте 50 шт
 
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
A+ LN2690TZHG (LRC)
 
SOT-89 ±
A+ LN03N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ±
A+ LN01N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ±
A+ LNB86110DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8380DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB2910LT1G (LRC)
 
SOT23LC
 
±
A+ NCE0106Z (NCE)
 
TO-92-3 1 шт ±
A+ NCE0106R (NCE)
 
SOT-223 ±
A+ NCE0103M (NCE)
 
SOT-89 30 шт ±
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
 
A+ CJA03N10S (JSCJ)
 
SOT893L
 
±
A+ CJA03N10 (JSCJ)
 
SOT893L
 
±
A+ WM10N35M2 (WAYON)
 
SOT233L
 
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ YJS03N10A (YJ)
 
120 шт
 
A+ LN8390DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCE0103Y http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0103Y uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID = 3A Schematic diagram RDS(ON) <160mΩ @ VGS=10V (Typ:136mΩ) RDS(ON) <170mΩ @ VGS=4.5V (Typ:140mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Excellent package for good heat dissipation Marking and pin assignment Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply SOT-23-3L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 0103Y NCE0103Y SOT-23-3L Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 3 A IDM 20 A PD 1.5 W TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJA 100 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Pulsed (Note 1) Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 100 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=100V,VGS=0V - - 1 μA Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 Off Characteristics v1.0 PDF
Документация на NCE0103Y 

Microsoft Word - NCE0103Y data sheet.doc

Дата модификации: 30.04.2019

Размер: 333.7 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.