CJA03N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA03N10 N-Channel MOSFET V(BR)DSS 100 V RDS(on)MAX ID 140mΩ@ 10V 3A SOT-89-3L 1. GATE 2. DRAIN DESCRIPTION 3. SOURCE The CJA03N10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. FEATU...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT893L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.