CJA03N10
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJA03N10
N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
100 V
RDS(on)MAX
ID
140mΩ@ 10V
3A
SOT-89-3L
1. GATE
2. DRAIN
DESCRIPTION
3. SOURCE
The CJA03N10 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use
in a wide variety of applications.
FEATU...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT893L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT893L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJA03N10
Microsoft Word - CJA03N10 SOT-89-3L A.doc
Дата модификации: 18.10.2019
Размер: 1.21 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.