YJS03N10A

SUNCO
RoHS YJS03N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 3.0A ＜120mohm ＜140mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Ra...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт — —
A+ YJH03N10A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ LN2690TZHG (LRC)
 
SOT-89 ± — — — — — —
A+ LN03N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ± — — — — — —
A+ LNB8380DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
—
 
 — —
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223 — — — — — —
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
 — — — — — —
A+ LN8390DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS03N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 3.0A ＜120mohm ＜140mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Drain Current 3 ID TA=70℃ Unit A 2.4 Pulsed Drain Current A IDM 12 A Single Pulse Avalanche Energy EAS 8 mJ Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 1.5 W Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Thermal Resistance From Junction To Lead RthJL 36 ℃/W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS03N10A F2 1003 3000 30000 120000 7" 1/7 S-E636 Rev.3.1,13-Jan-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS03N10A 

Дата модификации: 29.01.2023

Размер: 745 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)