YJH03N10A

RoHS YJH03N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 100V 3.0A <110mohm <120mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applicatio...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-89
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJM04N10A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ LN8390DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ LN2690TZHG (LRC)
 
SOT-89 ±
A+ LN03N100TZHG (LRC)
 
SOT-223 ±
A+ AO4486 (YOUTAI)
 
 
A+ WMT05N12TS (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMT05N10T1 (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMS04N10T1 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ YJS03N10A (YJ)
 
120 шт
 
A+ LNB8380DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 2

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.