LBC807-16LT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
General Purpose Transistors
PNP Silicon
LBC807-16LT1G
LBC807-25LT1G
LBC807-40LT1G
FEATURE
ƽCollector current capability IC = -500 mA.
ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V.
ƽGeneral purpose switching and amplification.
3
ƽPNP complement: LBC807 Series.
ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
1
2
DEVICE MARKING AND ORD...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC807
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | — | |
|---|---|---|
| Тип проводимости и конфигурация |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Напряжение КЭ максимальное |  | |
| Напряжение падения КЭ в открытом состоянии |  | |
| Ток коллектора |  | |
| Граничная рабочая частота |  | |
| Коэффициент усиления по току |  | |
| Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | ||
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 12
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | 2SB892 (JSCJ) | — | 1 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | BC327 (JSCJ) BC327 (ONS-FAIR) | TO-92-3 | 2000 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — |  | ||
| A+ | MMSTA92 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — |  | |||
| A+ | 2SB1440 (JSCJ) | — |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — |  | |||
| A+ | LBSS5350SY3T1G (LRC) | — | в ленте 1000 шт |  | — | — |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | LH8550QLT1G (LRC) | SOT-23-3 |  | — |  |  |  |  | — |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP | |||
| A+ | LMBTA55LT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | |||
| A+ | LMBTA56LT1G (LRC) | SOT-23-3 | в ленте 145 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB | ||
| A+ | LBC807-25LT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | |||
| A+ | LBC807-25WT1G (LRC) | — |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP | |||
| A+ | LBC807-40LT1G (LRC) | — | 1 шт |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | ||
| A+ | LBC807-40WT1G (LRC) | SOT-323-3 |  | — |  |  |  |  |  |  | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.