LBC807-25WT1G

LRC
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-25WT1G FEATURE ƽCollector current capability IC = -500 mA. ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. 3 ƽGeneral purpose switching and amplification. ƽPNP complement: LBC807 Series. ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Mark...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ LBSS5350SY3T1G (LRC)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — — —
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBC807-25LT1G (LRC)
 
—
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC807-40LT1G (LRC)
 
— 1 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
A+ LBC807-40WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon LBC807-25WT1G FEATURE ƽCollector current capability IC = -500 mA. ƽCollector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. 3 ƽGeneral purpose switching and amplification. ƽPNP complement: LBC807 Series. ƽWe declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking SOT–323 Shipping LBC807-25WT1G 5B 3000/Tape&Reel LBC807-25WT3G 5B 10000/Tape&Reel 3 COLLECTOR 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Collector–Emitter Voltage V CEO –45 V Collector–Base Voltage V CBO –50 V Emitter–Base Voltage V –5.0 V –500 mAdc Collector Current — Continuous EBO IC 2 EMITTER THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Symbol Max Unit Total Device Dissipation FR- 5 Board (1) T A =25 °C Derate above 25°C PD 150 mW Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) T A = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 1.2 mW/°C 833 °C/W PD 200 mW R θJA T J , Tstg 1.6 625 –55to+150 mW/°C °C/W °C R θJA 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/3 PDF
Документация на LBC807-25WT1G 

Дата модификации: 23.08.2012

Размер: 61.1 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)