NCEP02525F

NCE
NCEP02525F http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP02525F uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for Schematic diagram high-frequenc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ NCEP02580F (NCE)
 
TO220F
 
 ± — — —
A+ NCEP02525K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP02525F http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP02525F uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for Schematic diagram high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =250V,ID =25A RDS(ON)=60mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Marking and pin assignment ● 100% UIS tested Application ● LED backlighting ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% UIS TESTED! TO-220F top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP02525F NCEP02525F TO-220F - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 250 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 25 A ID (100℃) 17.5 A Pulsed Drain Current IDM 100 A Maximum Power Dissipation PD 45 W 0.3 W/℃ EAS 320 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 3.3 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Résistance, Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.1 PDF
Документация на NCEP02525F 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 30.03.2023

Размер: 660.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)