WMK340N20HG2
WMK340N20HG2
200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMK340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
resistance and yet maintain superior switching performance. This
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
GD
Features
⚫
S
TO-220
VDS = 200V, ID = 50A
RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO-220-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | IRF640NPBF-VB (VBSEMI) | — | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | NCE0224 (NCE) | TO2203L | в линейках 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
| P- | CS18N20A8R (CRMICRO) | TO220AB | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | WMM340N20HG2 (WAYON) | TO263 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMK340N20HG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 05.03.2022
Размер: 471.9 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.