NCEP0230D

NCE
Pb Free Product NCEP0230D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP0230D uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-freque...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2632L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP0230D http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP0230D uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application General Features ● VDS =200V,ID =30A RDS(ON)=40mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP0230D NCEP0230D TO-263-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 30 A ID (100℃) 21 A Pulsed Drain Current IDM 100 A Maximum Power Dissipation PD 135 W 0.9 W/℃ EAS 320 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 1.11 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Résistance, Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V1.0 PDF
Документация на NCEP0230D 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 15.06.2022

Размер: 691.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)