ASZM160120P

ASZM160120P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS 1200V ID@25℃ RDS(on)TYP 165mΩ@18V 19A 160mΩ@20V Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch Mode Power Supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable energy  Low Capacitance with High-Speed switching  Motor drives  Low reverse recovery(Qrr)  High Vol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD2120240NCTGH (YJ)
 
TO-247-3
 
P= YJD2170500NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
P= AS1M160120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
P= YJD2120120NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212080NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM70G120H (ATELECT)
 
TO2637 в ленте 30 шт
 
A+ YJD212080NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ AS1M160120D (ANBON)
 
TO2522
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.