YJD212080NCTG1
RoHS
YJD212080NCTG1
COMPLIANT
Silicon Carbide Power MOSFET (N-Channel Enhancement)
VDS
1200V
ID(25°C)
38A
RDS(on)
80mΩ
Features
● High speed switching
● Essentially no switching losses
● Reduction of heat sink requirements
● Maximum working temperature at 175 °C
● High blocking voltege
● Fast Intrinsic diode with low recovery current
● High-frequency operation
● Halogen free, RoHS...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Особенности |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 3
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | ASZM080120P (ANBON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | YJD212080NCTGH (YJ) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | ATSCM70G120V (ATELECT) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJD212080NCTG1
Microsoft Word - YJD212080NCTG1
Дата модификации: 22.08.2023
Размер: 984 Кб
9 стр.
Публикации 3
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.