YJD2170500NCTGH
RoHS
YJD2170500NCTGH
COMPLIANT
Silicon Carbide Power MOSFET （N-Channel Enhancement）
VDS
1700V
ID（25°C）
8.3
RDS(on)
500mΩ
Features
● High speed switching
● Essentially no switching losses
● Reduction of heat sink requirements
● Maximum working temperature at 175 °C
● High blocking voltage
● Fast Intrinsic diode with low recovery current
● High-frequency operation
● Halogen free, Ro...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2473 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P= | ASZM160120P (ANBON) | TO2473 | в линейках 30 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| P= | YJD2120120NCTGH (YJ) | TO2473 | в линейках 30 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | — | ||
| P= | AS1M160120P (ANBON) | TO2473 | в линейках 30 шт |  |  |  | — |  | — |  |  |  | — | — | — | ||
| P= | YJD2120240NCTGH (YJ) | TO-247-3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на YJD2170500NCTGH
Microsoft Word - YJD2170500NCTGH
Дата модификации: 15.03.2024
Размер: 729.2 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.