AS1M160120D
AS1M160120D
N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS
RDS(on)MAX
ID@25℃
1200V
196mΩ@20V
18A
Feature
Application
High Blocking Voltage With Low On-Resistance
Power Supplies
High Speed Switching With Low Capacitance
High Voltage DC/DC Converters
Easy to Parallel and Simple to Drive
Motor Drivers
Switch Mode Power Supplies
Pulsed Power ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2522 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на AS1M160120D
Microsoft Word - AS1M160120D
Дата модификации: 12.07.2022
Размер: 1.12 Мб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.