ASXM028120P
ASXM028120P
N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS
RDS(on)TYP
ID@25℃
1200V
28mΩ@18V
88A
Feature
Application
Wide bandgap SiC MOSFET technology
Switch Mode Power Supplies
Low On-Resistance with High Blocking Voltage
Renewable energy
Low Capacitance with High-Speed switching
Motor drives
Low reverse recovery(Qrr)
High Voltage DC/DC...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | ASZM028120P (ANBON) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJD212025NCTGH (YJ) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.